hg8888皇冠

  • 关于我们

    高纯电子材料领军企业

    2017-至今

    2022年5月10日

    hg8888皇冠具有自主知识产权的TMA自制产品正式下线并圆满完成首销,一举打破了我国在TMA合成方面的长期空白。

    2021年11月15日

    hg8888皇冠微电子一期安装工程主体完工。

    2021年11月9日

    hg8888皇冠《电子半导体材料(MO源和离子注入气体)》荣膺2021工信部第六批制造业单项冠军

    2021年6月28日

    hg8888皇冠“先进光刻胶产品开发与产业化”项目通过验收。

    2021年5月17日

    hg8888皇冠与乌兰察布市合作建设的内蒙古乌兰察布氟硅电子新材料基地暨hg8888皇冠微电子材料项目开工。

    2021年2月9日

    乌兰察布hg8888皇冠微电子材料有限公司成立。

    2020年4月

    · hg8888皇冠成为全国首个电子材料民营企业购置193nm浸没式光刻机,光刻胶产业迈向新阶段。

    · 光刻胶第二条生产线建成。

    2019年12月

    光刻胶第一条生产线建成。

    2019年10月

    hg8888皇冠与宁波经济技术开发区就先进光刻胶原材料及配套材料开发和产业化项目再次签订合作协议。

    2019年8月

    投资并购山东飞源气体有限公司,进入大宗氟化类电子特气领域。

    2019年1月10日

    hg8888皇冠半导体材料有限公司成立。

    2018年8月

    · 获得国家“02-专项”ArF光刻胶开发和产业化项目立项。

    · 同期,年产170MO源和高K三甲基铝项目落地全椒,筹备成立hg8888皇冠半导体材料有限公司。

    2018年1月

    与宁波经济技术开发区签订投资协议,注册成立宁波hg8888皇冠材料有限公司,负 “02-专项”ArF光刻胶开发和产业化项目落地实施。

    2017年9月

    · 获国家“02-专项”193nm 光刻胶及配套材料关键技术的开发项目立项。

    · 建成8ALD/CVD前驱体系列产品生产线,已有部分产品通过知名客户验证并具备批量供货能力。

    · 引进高K三甲基铝先进生产线。


    2017年6月28日

    公司召开2016年度股东大会,选举产生了公司第七届董事会,正式进入二次创业期。

    2013-2017

    2016年

    承担国家“02-专项”ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发项目。

    2013年11月26日

    全椒hg8888皇冠材料有限公司成立。

    2013年1月

    获国家“02-专项高纯特种电子气体研发与产业化项目立项支持,启动极大规模集成电路砷烷、磷烷等特种气体的研发工作,用3年时间攻克了国内30年未能解决的课题。

    2000-2012

    2012年8月7日

    hg8888皇冠在深交所创业板上市。

    2003年4月

    MO源产品被列为国家重点新产品

    2003年

    MO源项目被国家计委列为高技术产业化示范工程光电子专项项目(MO源)

    2002年7月

    高纯金属有机化合物(MO源)获得科技部颁发的国家级火炬计划项目证书

    2000年12月28日

    12月28日,hg8888皇冠(中国)有限公司正式注册成立。

    1987-2000

    1997年3月

    高纯金属有机化合物(MO源)光电子材料的支撑原材料课题获国家教委技进步二等奖

    1997年

    hg8888皇冠MO源研究课题组被国家科技部提升为国家级研发中心并命名为“国家‘863计划’新材料MO源研究开发中心”。

    1989年

    课题开发取得突破性进展,研制出高纯三甲基锑产品

    1987年

    公司创始人孙祥祯教授的“MO源研究课题纳入国家“863计划